【個別產業篇】半導體產業
劉佩真（作者為台灣經濟研究院產經資料庫資深分析師） (2011/04/06) 《台經月刊第34卷第4期》
日本半導體供應鏈受災概況
2011年3月11日日本宮城發生芮氏規模9.0的大地震，成為全球第四大地震事件。日本為全球第三大晶片生產地區，僅次於亞太地區和美國，2010年比重為21.3%，而此次受災的東北地區可謂日本半導體產業據點之一，因此市場相當關注日本311強震對於半導體與其供應鏈的影響。
1.矽晶圓
雖然此次日本受災區域的半導體總產能占全球比重僅約4%（受災區域以6吋及8吋廠為主，加總月產能約39萬片約當晶圓），但強震卻重創全球半導體原材料矽晶圓最主要的供應商－日本信越化學和SUMCO，2010年兩家廠商全球市占率各為32.4%、29%，供應地區除日本外，尚包括美國、韓國及台灣。矽晶圓占全球半導體材料市場比重達五成，其重要性與影響程度相當大。信越化學工業的群馬事業所、鹿島廠、白河廠在災後第一時間停止營運並進行檢修，爾後位於群馬的廠房已重新啟動，但全球市占率為22%的白河廠尚未復工；此外，SUMCO復工後的產能因限電措施而未如預期，福島縣核電廠受損所造成的輻射外洩及停電，也將拖延量產與復工進度，影響全球半導體供應鏈至巨。未來市場焦點將會鎖定信越化學工業白河廠的復工進度，若其復工時間超過兩個月，將明顯不利於全球半導體供應鏈。
2.BT樹脂及光阻劑
日本311強震也影響其他半導體原物料的供應，包括IC基板用BT樹脂、半導體重要化學品－光阻劑等。其中全球前兩大IC基板用BT樹脂供應商－三菱瓦斯和日立化成，以及全球光阻劑市占率達20%的東京應用化學，廠房皆位於重災區且受創情況不輕，但因兩者在半導體生產成本所占比重較低、原物料的重要性不若矽晶圓（如光阻劑僅占全球半導體材料市場比重的4%），且日本供應商尚有庫存可支應原先的訂單，故雖然依賴日本供應BT樹脂和光阻劑的半導體廠短期內會受到影響，但衝擊將不若矽晶圓嚴重。
3.製程設備
日本是我國及全球半導體製程設備重要的供應來源之一，災後東京威力科創、Nikon、Canon等廠房皆停擺，對半導體製程影響甚大。東京威力科創是全球第二大半導體設備供應商，其所生產的機台遍布前端關鍵製程，包括塗佈、氧化擴散爐、電漿蝕刻、沈積鍍膜、濕式清洗等，短期內將由其位於山梨縣的廠房來取代宮城縣，但產能仍將無法完全替補；而Nikon和Canon兩家廠商，2010年全球半導體曝光設備市占率合計高達44%，兩者廠房復原需要較長時間。故可預期該三家廠房受創，恐將影響2012年半導體廠先進製程的擴產規劃。
4.NAND Flash及DRAM
另外日本311強震後，各界也相當關心全球第二大NAND Flash供應商－Toshiba、全球第三大DRAM供應商－Elpida廠房受波及的情況。災後第一時間全球NAND Flash、DRAM廠商皆停止報價，爾後兩大記憶體價格均出現急漲，其中NAND Flash價格漲勢更甚DRAM。主因為Elpida廣島廠快速恢復營運，加上其廣島廠並非全部量產標準型DRAM，且2010年第四季Elpida在全球DRAM市場占有率僅為13.6%，亦有台系策略聯盟伙伴可支援產能，意謂實際上Elpida生產線運作受阻影響全球DRAM市場的供給量有限；但NAND Flash價格則仍有上揚空間，主要是2010年第四季Toshiba在全球NAND Flash的市占率高達35.5%，且其四日市廠房(Fab3、Fab4)雖恢復生產作業，但限電措施與運輸問題仍將阻礙其供貨速度。由Toshiba停電所造成的晶圓報廢數量推估，2011年4月Toshiba NAND Flash產出量恐約減少5%，造成全球供應量約減少2%，故Toshiba已公告2011年4月起NAND Flash價格調漲20%。
5.IDM廠
除日本半導體原物料與設備廠、記憶體廠營運受影響外，日本半導體廠及化學品、設備廠產線也有不同程度的受損，包括IDM、IDM/Foundry、DRAM、NAND Flash、半導體用化學品、IC基板用BT樹脂、半導體設備等族群。其中受損廠房最多者為日本IDM廠，主要產品線範圍含括類比IC、混訊IC、分離式元件、邏輯IC、光學元件等，尤以Sony、Toshiba、Oki、TI、Fujitsu、Renesas等受損程度較高，TI更宣布福島縣的美保廠需至2011年9月才可望復工，所幸短期內日本IDM廠將可藉由委外代工的模式來因應其供給的缺口，其對於全球半導體市場的影響可獲得控制。
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