2025功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇
2025 Symposium on High Power Semiconductor
Materials ( GaN & SiC ) and Devices
面對氣候變遷與地緣政治等多重挑戰，科技已然成為推動永續與創新的關鍵動能。其中，寬能隙（Wide Band Gap, WBG）半導體材料—碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），憑藉耐高溫、高壓、高頻、節能與優異散熱等特性，逐漸躍升為驅動新世代應用的核心技術。其應用範疇涵蓋電動載具（EV）、再生能源發電、快充、光達、衛星通訊與5G/6G等前瞻產業，更是車用電子與AI應用邁向高功率與高整合發展的重要支柱。
高功率元件應用研發聯盟自2015年成立以來，已凝聚超過80家產學研夥伴，長期致力於推動材料與元件技術發展，並成為跨領域交流與合作的重要平台，持續為台灣供應鏈注入動能。
今年適逢本論壇邁入第10屆，將邀請國際與國內領導廠商及專家齊聚，分享最新技術與產業洞見，同時舉辦學生論文海報競賽，期望透過論壇促進跨界交流、培育人才、激盪創新思維，讓台灣在不斷變化的全球科技版圖中，持續發揮關鍵作用。誠摯邀請您撥冗蒞臨！
2025年10月2日 (四) 10:00-16:40（9:30-10:00報到） /
October 2nd , 2025, Thu., 10:00-16:40 ( 9:30-10:00 for registration )
臺大醫院國際會議中心 301會議室（台北市中正區徐州路2號） /
Room 301, NTUH International Convention Center
( No. 2, Xuzhou Road, Zhongzheng District, Taipei City )
- 論壇報名時間 / Registration Period
即日起至2025年9月26日(五)下午5:00止(名額有限，以額滿為止) /
From now until Sep. 26th, 2025, Fri., 5:00p.m., until Full
- 線上報名網址 / Registration Website (Google forms)
https://forms.gle/HB4582r1ccTcd4kW7
- 主辦單位 / Organized Institutions
高功率元件應用研發聯盟 / High Power Device Application and Research Alliance
- 協辦單位 / Co-Organized Institutions
國家中山科學研究院 / National Chung-Shan Institute of Science & Technology (NCSIST)
台灣經濟研究院 / Taiwan Institute of Economic Research (TIER)